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他决定试试在缓冲层中采用GaN而非AlN的方法。
具体思路是在低温生长的非结晶状态的GaN膜之上，在高温条件下生长出GaN单晶膜。只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶GaN膜相同的构造。
按照这个思路，中村进行了尝试。
结果嘛，一次成功！
这种方法的核心，是采用了低温
GaN
缓冲层(500
℃左右)替代了AlN缓冲层。这一基于低温GaN缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长GaN基LED的标准工艺。
当然了，做出这步改良的理由，也是异常奇怪。中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用！
