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读出方法与eprom相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。
由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。
相比于第一种nor闪存。
第二种闪存称为nand闪存。
它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。
nand闪存的写周期比nor闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。
nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了更好的性能。
nor型与nand型闪存的区别很大。
打个比方说，nor型闪存更像是内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小。
